Intermediate Layer in the Metal-Silicon Carbide Contact

Das Fachbuch "Intermediate Layer in the Metal-Silicon Carbide Contact" von Natalja Sleptsuk bietet eine umfassende Untersuchung der metall-halbleiter Kontakte, insbesondere der Schottky-Barriere Kontakte. Es wird erläutert, wie die tatsächlichen elektrischen Eigenschaften dieser Kontakte von den idealen abweichen und welche Rolle eine Zwischenlage zwischen Metall und Halbleiter dabei spielt. Die Autorin analysiert die Auswirkungen dieser Schicht, die zu Phänomenen wie Potentialabfall, Barrierenabsenkung und Elektronentunneln führen können. Diese Aspekte sind von erheblichem wissenschaftlichem Interesse und werden im Kontext der Diffusionsschweisstechnik (DW) betrachtet. Das Buch richtet sich an Fachleute und Studierende, die sich mit Halbleitertechnologie und den damit verbundenen physikalischen Phänomenen auseinandersetzen.